单片式磷酸蚀刻设备SC300HT series – SHIBAURA
高选择比Etching
通过对H3PO4中的Silca浓度的检测和控制，达到高选择比Etching的可能。
Wafer表面均一性的控制
通过对每个Zone的温度控制，达到wafer表面的Etching Profile的控制的可能
高洁净度的清洗性能
采用芝浦独立开发的物理清洗tool，达到高洁净度的处理
低COO
H3PO4采用可回收方式，可消减药液的Cost
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