低温 ICP 刻蚀机 – SENTECH
SI 500 C
低温 ICP刻蚀机 SI 500 C可在‐100℃左右的低温条件下实现深硅刻蚀，采用连续的 SF6/O2刻蚀工艺，在刻蚀侧壁上形成低温自钝化层。该工艺的最大优点是可实现刻蚀侧面的光滑，在光学应用领域非常重要。该设备也可使用传统Bosch 工艺，增加了工艺试验手段，适合不同的试验要求。
设备特点：
★ 可实现低温刻蚀工艺与 Bosch 工艺
★ 侧壁光滑，粗糙度优于 2nm
★ 刻蚀后无残留物
★ 高刻蚀选择比（硅：光刻胶＞200:1，硅：SiO2＞350:1）
★ 通过其他流量、下电极温度可实现侧壁正角、负角、垂直角度的改变