离子化学蚀刻设备 – SHIBAURA
wafer表面的Film或Resist的Etching/Ashing设备
高密度，低能量的Plasma，可达到高速，低Charge damage的Etching
低压力的Plasma源
双Chamber可达到160WPH的高生产性能
多功能（串并联结构）
300mm wafer可对应
设备式样
| 运用 | Resist strip (Low-k, Organic Low-k, HDIS, Post Via etch) |
|---|---|
| Wafer Size | 300mm(200mm) |
| 処理方法 | ＩＣＰ ＋ RF Bias source |
| Process Chamber | 2Chambers |
| 电源 | Source： RF 13.56MHz 5kW Bias:RF 13.56MHz 1kW |
| 搬送系统 | 芝浦自制Robot |
| wafer控制温度 | 5～70℃ |
| 压力控制 | （APC） ×2 |
| 真空Pump | Turbo分子Pump ×2 DryPump ×3 |
Process 式样
| Process Gas | O2 ,N2 ,CF4 ,H2 ,NH3 |
|---|---|
| Etching Rate | Resist 2.5μm/min(25℃) |
| Uniformity | ≦±5% |
| Metal contamination | ≦5×1010 Atoms/cm2 |
| Paticles | 20个以下（≧0.2μm） |
| Throughput | ≦160枚/h |
| Tact time | ≦20秒/枚 |